高頻感應(yīng)加熱設(shè)備行業(yè)前景寬闊,因此研發(fā)感應(yīng)加熱技術(shù)性的工作人員慢慢提升,中國(guó)現(xiàn)階段離海外技術(shù)性也有非常大的差別。東莞市海拓感應(yīng)設(shè)備有限責(zé)任公司也于近期研發(fā)了運(yùn)用MOSFET做為電源開(kāi)關(guān)元器件的在200kW內(nèi)隨意調(diào)整,頻率范疇在100kH2-1000kH的高頻感應(yīng)加熱設(shè)備系列產(chǎn)品。



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IGBT, MOSFET、MCT是將來(lái)有發(fā)展前景的元器件。近期,輸出功率MOSFET將再次是低壓、小輸出功率和高頻感應(yīng)加熱設(shè)備主要用途中頗具活力的元器件。SIT更適用功率高頻逆變器,可是因?yàn)樯a(chǎn)制造加工工藝繁雜、成本增加、價(jià)錢(qián)貴,因此市場(chǎng)需求小。IGBT輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)器輸出功率小,非常容易驅(qū)動(dòng)器和壓減少,價(jià)格低,是新消息發(fā)展趨勢(shì)的電力電子器件。



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將來(lái),在高頻感應(yīng)加熱設(shè)備行業(yè),輸出功率集成電路工藝將朝著大空間化、高頻率化、驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)易、代導(dǎo)通壓力降模塊化設(shè)計(jì)和輸出功率一體化方位發(fā)展趨勢(shì)。感應(yīng)加熱電源進(jìn)到全固、模塊化設(shè)計(jì)時(shí)期將是其發(fā)展趨勢(shì)的大勢(shì)所趨。

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