IGBT中頻電源是用來制造IGBT中頻電源的高新技術(shù)，因此它是一種具有廣闊發(fā)展前景的新設(shè)備。IGBT中頻電源在使用過程中耗能很低，節(jié)約能源，而且在生產(chǎn)不銹鋼等產(chǎn)品時(shí)，熔化速度快，生產(chǎn)效率高。

恒定功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功，它不受爐料數(shù)量和爐襯厚薄的影響，在整個(gè)熔煉過程中保持恒功率輸出，特別是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)，表現(xiàn)出其優(yōu)越性，熔化速度快，爐料元素?zé)龘p少，降低鑄造成本。

IGBT中頻電源為恒功率輸出電源，加入少量的料就可達(dá)到滿功率輸出，并始終保持恒定，熔化速度快；由于逆變部分采用串聯(lián)諧振，且逆變電壓高，所有IGBT中頻比普通可控硅中頻節(jié)能；IGBT中頻采用調(diào)頻調(diào)功，整流部分采用全橋整流器，而逆變部分采用電感電容濾波，因此IGBT中頻比普通可控硅中頻低，因此IGBT中頻電源具有低功耗、高可靠性等特點(diǎn)。

與傳統(tǒng)的SCR并聯(lián)中頻電源相比，節(jié)能IGBT晶體管中頻電源節(jié)能15%-25%，其節(jié)能的主要原因是：逆變電壓高電流小，線路損耗小，這一部分可以大大降低，節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V，電流小，線路損耗小，線路損耗大。

高功率因數(shù)，功率因數(shù)總是大于0.98，無功損耗小，這一部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。因?yàn)楣?jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用半可控硅導(dǎo)通的整流方式，使整個(gè)工作過程功率因數(shù)大于0.98，無功率損耗。

熱損失小，由于IGBT晶體管中頻節(jié)能電源比同等功率的可控硅中頻電源一爐快15分鐘左右，15分鐘內(nèi)爐口損失的熱量可占整個(gè)工藝過程的3%，因此這一部分比可控硅中頻節(jié)能3%左右。

高次諧波干擾：高次諧波主要來源于可控硅整流部分調(diào)壓時(shí)產(chǎn)生的毛刺電壓，會(huì)嚴(yán)重污染電網(wǎng)，使其它設(shè)備無法正常工作，而IGBT晶體管中頻電源的節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源整流部分采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在不調(diào)的情況下，不會(huì)干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備的運(yùn)行。