自1831年法拉第發現以來，從1831年到今天，作為感應加熱技術的一個重要理論基礎，人類在20世紀30年代開始利用感應加熱這一技術，至今僅有80年的歷史。20世紀50年代前的20年間，感應加熱技術發展緩慢，產品技術水平不高，主要有工頻感應加熱爐、電磁倍頻器、中頻發電機和電子管高頻振蕩器加熱裝置。缺少培養式感應加熱生長的基礎——電力電子技術和半導體功率器件。

電力半導體功率器件的發展離不開感應加熱電源的技術進步，因此，20世紀50年代出現了晶閘管(SCR)，為感應加熱電源的發展帶來了生機，其結構面貌煥然一新，出現了高壓大功率變頻器感應加熱電源，熱電流頻率由工頻擴展至中頻。60年代研制出出門極關斷晶閘管(GTO)，使感應加熱電源再次發生變化，可用外控信號關閉，避免晶閘管需要結構復雜的強制換流電路，提高了變頻器電源的可靠性。

假如晶閘管(SCR、GTO)的出現引起了感應加熱電源的革命性變化，那么20世紀70年代，場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的誕生，使得感應加熱電源的發展如虎添翼，加熱的電流頻率達到了MHz級，感應加熱電源趨于模塊化和標準化。