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MOSFET、IGBT在感應加熱電源中的應用

以現代電力半導體功率器件為核心的逆變感應加熱電源,無論應用什么類型的半導體功率器件,無論是電流源負載并聯諧振逆變器還是電壓源負載串聯諧振逆變器,無論應用的工作電流頻率如何,組成感應加熱電源的電路組件基本相同,功能模塊化特性更加明顯。不僅電路簡單,而且組裝非常方便。通過簡單的接線端子或航空插件,連接各種功能模塊,即形成感應加熱電源。

感應加熱電源

近幾年來,由于MOSFET、IGBT器件制造工藝和水平的不斷提高,與其它電力半導體器件相比,MOSFET、IGBT在感應加熱電源中的應用也越來越多。由MOSFET和IGBT功率模塊組成的感應加熱電源更容易使感應加熱裝置模塊化、集成組裝結構,其體積和質量比晶閘管和電子管組成的感應加熱電源大大降低,同時可以實現感應加熱電源的高頻工作。

感應加熱

海拓小編成感應加熱電源的各功能單元進行簡要描述外,海拓小編還對表征感應加熱電源的主要技術性能要求進行了描述,包括性能參數、可靠性和安全性等相關指標,重點介紹了各組成單元的功能描述。

 

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